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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07. Biométricos Par de altavoces fabricado en

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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07. Biométricos Par de altavoces fabricado enTransistor de Silicio NPN, 2 30 MHz, 12. 5 Vcc, 12. 5 Watt, 211 07.

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